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TFT

印刷薄膜晶体管技术

印刷电子中心重点开发了以无机纳米材料为主体的印刷薄膜晶体管技术,主要包括印刷半导体碳纳米管薄膜晶体管与印刷金属氧化物半导体薄膜晶体管。

印刷碳纳米管薄膜晶体管

               

                                    

印刷电子中心已成功开发出20余种高性能可印刷半导体碳纳米管墨水,其半导体碳纳米管的纯度达到99%以上,并在刚性和柔性基材上构建出高性能印刷薄膜晶体管、反相器、或非门、5阶环形振荡器和OLED驱动电路。近年已在AFM、JMC、Nanoscale、JPCC、ACS Appl Mater Interfaces和Carbon等刊物发表印刷碳纳米管薄膜晶体管相关SCI论文20余篇,申请碳纳米管分离、薄膜晶体管和电路相关的专利13项,其中美国专利2项,国内专利11项,已授权3项。

                    

       

印刷金属氧化物薄膜晶体管

           

印刷电子中心致力于可印刷金属氧化物薄膜晶体管技术的开发,通过基底表面与墨水材料的改性,实现了高密度喷墨打印IGZO点阵。通过快速预热技术,显著提高印刷薄膜晶体管的电子迁移率。喷墨打印制备的IGZO薄膜晶体管阵列已驱动OLED像素发光,为实现印刷OLED显示背板驱动电路奠定了基础。

   


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